[发明专利]光掩膜无效
申请号: | 94118243.6 | 申请日: | 1994-11-15 |
公开(公告)号: | CN1118456A | 公开(公告)日: | 1996-03-13 |
发明(设计)人: | 裵相满 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京市中原信达知识产权代理公司 | 代理人: | 余朦 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用来在一限于邻近待刻图层上形成的凹陷的区域上形成正光刻胶膜图形的光掩摸,包括在石英衬底上形成的铬图形及在该石英衬底上形成的设在邻近铬图形的与待构图层的凹陷相重合部位的多个斑点图形,该斑点图形适于减弱入射到石英衬底的与待刻图层的凹陷相重合部位的光强,因而能防止在光刻胶膜图形上出现因凹陷倾斜表面产生的无规则的光反射导致残蚀现象。该光掩模能防止光刻胶膜图案形状由于光刻胶膜的非预定部位被倾斜表面反射的光曝光而受损伤。 | ||
搜索关键词: | 光掩膜 | ||
【主权项】:
1.一种用于在规定的与待刻图层上所形成的凹陷邻近的区域形成正光刻胶膜图形的光掩模,包括:一石英衬底,及在石英衬底上形成的,适于减弱入射到光掩模的与待刻图层凹陷相重合的部位的光强度的多个斑点图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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