[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 94118819.1 | 申请日： | 1994-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1036102C | 公开（公告）日： | 1997-10-08 |
| 发明（设计）人： | 裵相满;文承灿 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤在欲被构图的底层上涂敷一层抗反射膜；其上涂敷光致抗蚀膜，使用掩模对该膜实施曝光、显影工艺，从而形成其尺寸略大于预期图形尺寸的第一光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜的裸露部位，从而形成抗反射膜图形；去掉第一光致抗蚀膜图形，在所得结构的整个裸露表面上涂敷第二光致抗蚀膜；用掩模对该膜实施曝光、显影，形成具有预期图形尺寸的图形；腐蚀其裸露部位形成底层图形。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：在欲被构图的底层上涂敷一层抗反射膜；其特征在于：在该抗反射膜上涂敷一层第一光致抗蚀膜，使用掩模对第一光致抗蚀膜进行曝光、显影，从而形成第一光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜的裸露部位，因而形成抗反射膜图形；去掉第一光致抗蚀膜图形，在去掉第一光致抗蚀膜图形之后所得结构的整个裸露表面上涂敷一层第二光致抗蚀膜；使用该掩模对第二光致抗蚀膜进行曝光、显影，从而形成第二光致抗蚀膜图形；腐蚀抗反射膜图形的裸露部位，然后腐蚀底层，从而形成底层图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
