[发明专利]束致变蚀方法

摘要

本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀方法。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂组合物层；在一定温度下经过用氮鼓泡的氟化氢溶液的混合气体中腐蚀。可使选择轰击二氧化硅表面的二个区的腐蚀速率比达到１∶１００，刻蚀分辨率为亚微米级，正负图形可变并且清晰完整，可靠性高。

主权项

1.一种束致变蚀方法，其特征在于包括下列步骤：第一步：用离子束、电子束、等离子体束中的一种或两种粒子束对SiO2表面进行选择轰击，使SiO2表面能发生明显变化，使在随后用氮气鼓泡HF溶液的混合气体中腐蚀后的轰击区与非轰击区的腐蚀速率比显著增大或恢复原状，所用离子束的离子是N+、H+、O+、Ar+，离子注入量是5×1015cm-2～1×1016cm-2，能量为10KeV～100KeV，电子束轰击时所用两极电压为1800V～2000V，轰击时间大于5分钟；等离子体束轰击时所用能量为20W～40W，轰击时间60秒～90秒；第二步：在粒子束选择轰击的表面上涂一层厚度为200_～2000A的催化剂组合物，该催化剂组合物有：一、环己酮…………100ml米蚩酮…………1g肉桂酸…………1g聚乙烯醇肉桂酸酯…2g；或者二、环己酮…………100ml2-羟基-5-硝基苊…1.5g聚酯…………3g二胺基二苯醚……0.5g第三步：在涂上催化剂组合物膜的样品上，在室温到190℃下，用氮气鼓泡HF溶液的混合气体进行腐蚀，腐蚀速率大于1000_/min；第四步：去催化剂，即得到所需图形。