[发明专利]半导体存储器件的增压电路无效
| 申请号： | 94118947.3 | 申请日： | 1994-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1107955C | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 崔勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,马铁良 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用来将系统馈送来的电源电压VCC增升到所需的增升电压VPP电平的增压电路。增压电路包括一个用三井工艺制作的传输晶体管。传输晶体管具有双极特性且其工作如同双极二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 增压 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体存储器件的增压电路，它包含：一个用来接收具有恒定周期的振荡信号的输入节点；一个激励节点，上述激励节点被预充电到规定的电压电平；一个增压节点，上述增压节点被升高到高于电源电压的增升电压；一个二电极端连接在上述输入节点和上述激励节点之间的激励电容器，上述激励电容器根据馈送到上述输入节点的电压电平来激励上述的激励节点；以及一个连接在上述激励节点和上述增压节点之间、用来将充电到上述激励节点的电压传输到上述增压节点的双极二极管。
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