[发明专利]增强半导体感光元件及其制造方法在审
申请号: | 94119827.8 | 申请日: | 1994-12-06 |
公开(公告)号: | CN1124410A | 公开(公告)日: | 1996-06-12 |
发明(设计)人: | 郑盛文;骆增进 | 申请(专利权)人: | 敦南科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种增强半导体感光元件及其制造方法,其主要由矽基板10中的P-N杂质介面11、薄气化矽层20、第一层CVD氧化矽层30、第一层金属层40、第二层CVD氧化矽层50、第二层金属层60、护层70以及聚光层80构成,其制造方法为在感光元件护层上,镀上一附着增强剂,进行相关热处理后,于该护层上镀聚光层,再进行相关热处理后,再于聚光层上镀上光阻之后,进行曝光、显影及聚光层蚀刻,再作光阻去阻及聚光层固化的相关热处理后制成。 | ||
搜索关键词: | 增强 半导体 感光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种增强半导体感光元件,其特征在于,该感光元件的护层上覆盖一层聚光层,利用聚光层可有效地导引入射光源进入感光元件,以提高感光元件的灵敏度及使聚光层在多角度内可增加感光有效面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的