[发明专利]在电可擦编程只读存储器中形成薄隧穿窗口的方法

摘要

一种在半导体ＥＥＰＲＯＭ器件中制作供电子在浮栅（７０）和衬底（１５）之间隧穿的亚微米介质窗口的方法。对覆盖在衬底（１５）上的氧化层（２５）之上的掩膜边缘（３５）进行钻蚀，去掉一小段距离（４０），在该小段距离的周围形成氧化层（５０），然后在该钻蚀距离中形成一层薄氧化层，作为隧穿窗口（６５）之用。

主权项

1．一种在EEPROM中形成介质隧穿窗口的方法，其特征在于，它包含以下步骤：在硅衬底(15)上形成第一层氧化层(25)；在所述第一层氧化层(25)的顶部淀积第一层氮化层(30)，然后利用光刻对所述氮化层(30)蚀刻图案，并腐蚀掉由所述光刻确定的部分所述氮化层(30)，使所述第一层氧化层(25)的显露部分不被所述氮化层(30)的剩余部分(32)所覆盖，所述氮化层(30)的所述剩余部分(32)具有位于所述衬底(15)之选定区域(20)上的末端(35)；腐蚀掉未被所述第一层氮化层(30)之所述剩余部分(32)覆盖的所述第一层氧化层(25)的所述显露部分，并在所述氮化层(32)之所述末端(35)底下，从所述末端(35)开始对所述第一层氧化层(25)稍微腐蚀掉一段受精确控制的距离，所述距离小于光刻可分辨距离，从而确定所述氮化层(32)之所述末端(35)下的已腐蚀掉所述第一层氧化层(25)的钻蚀区(40)；在所述衬底(15)上生长厚度薄于所述第一层氧化层(25)的第二层氧化层(45)，所述第二层氧化层(45)延伸至所述氮化层(32)之所述末端(35)底下的钻蚀区(40)，以覆盖已腐蚀掉第一层氧化层(25)的所述衬底(15)，较薄的第二层氧化层在所述末端(35)和所述第二层氧化层(45)之间的钻蚀区(40)中留下一空间(47)；在所述第一层氮化层(30)的所述剩余部分(32)和所述第二层氧化层(45)上淀积第二层氮化层(50)，使之充填于所述末端(35)和所述第二层氧化层(45)之间所述钻蚀区(40)-中的所述空间(47)，然后腐蚀掉所有的所述第二层氮化层(50)，但充填于钻蚀区(40)中所述空间(47)内的部分所述第二层氮化层(50)除外，它受所述末端(35)附近所述第一层氮化层(30)之边缘部分的保护而免于腐蚀；在未被任何氮化层(30,50)覆盖的所述第二层氧化层(45)上生长第三层氧化层(55)；并且去除所有的氮化层(30,50)，致使所述钻蚀区(40)中的氧化物形成一个窗口(65)，所述窗口的宽度对应于具有钻蚀长度的所述精确控制的距离。