[发明专利]相变型光盘及其制造方法无效
| 申请号： | 94191593.X | 申请日： | 1994-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1132568A | 公开（公告）日： | 1996-10-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木胜;西村和浩 | 申请（专利权）人： | 旭化成工业株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种相变型光盘，包括一个透明基片；在透明基片上安排一个记录层，它依照激光能量辐射发生晶态和非晶态之间的相变；保护层安排在记录层之上或紧贴其下；记录层的成分由通式(SbaTebGec)100-d·Sd给出，其中5≤a≤60，35≤b≤65，5≤c≤65，a+b+c＝100和0≤d≤40和/或一个或二个保护层都包含了Zn(1-x)Sx其中0.50＜x和一种或多种金属或半金属的氧化物，氮化物，氟化物，碳化物和硫化物的混合物(前提是当金属为锌时硫化物除外)。本发明的光盘的重复使用性，亦即改写周期数和可校错误周期数有了提高，同时降低了由于长时间读取造成的记录信号的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 光盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括一透明基片的相变型光盘。一个记录层被安排在透明基片之上，其中，记录层根据激光能量照射，发生晶态与非晶态之间的相变；保护层被安排在记录层之上或紧贴其下；记录层的成分由通式(SbaTebGec)100－d·Sd给出，其中5≤a≤60，35≤b≤65，5≤c≤65，a＋b＋c＝100并且0＜d≤40，和/或一个或两个保护层包含了Zn(1－x)Sx，其中0.50＜x，与一种或多种金属或半金属的氧化物，氮化物，氟化物，碳化物和硫化物的混合物(前提是金属是锌时，硫化物除外)。
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