[实用新型]一种新型柱状磁控溅射源无效
| 申请号： | 94218431.9 | 申请日： | 1994-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN2196123Y | 公开（公告）日： | 1995-05-03 |
| 发明（设计）人： | 马志坚 | 申请（专利权）人： | 马志坚 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京科龙专利事务所 | 代理人： | 韩小雷 |
| 地址： | 100020 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种柱状磁控溅射源。该溅射源中的磁体沿阴极轴向呈螺旋线型布置。本实用新型整个阴极表面放电均匀、刻蚀均匀，放电面积大、靶材利用率高、使用寿命长，可广泛用于各种真空镀膜装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 柱状 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种柱状磁控溅射源，包括溅射电源、柱状阴极、套在阴极端部的屏蔽罩、阴极内磁体、固定磁体的基体、使磁体旋转的传动装置和阴极内的冷却通道，其特征是所述磁体沿阴极轴向呈螺旋线型布置。
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