[实用新型]一种碲镉汞阳极氧化装置无效
| 申请号： | 94238597.7 | 申请日： | 1994-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN2218978Y | 公开（公告）日： | 1996-01-31 |
| 发明（设计）人： | 龚海梅;方家熊;李言谨;胡晓宁;张红梅;邹明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 200083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种由脉冲式阳极氧化电源和点触式阳极氧化槽构成的阳极氧化装置，采用多路直流稳压电源提供电压，经脉冲发生电路并放大后提供给恒流管作工作电压，最终输出正负脉冲电流；阳极氧化槽采用点触式非焊电极的方式将样品的电极引出。该装置用于碲镉汞红外探测器表面钝化膜的制备工艺，获得了优于传统恒流方式生长的碲镉汞阳极氧化膜界面，基本上消除了表面的机械划伤，明显改善了缺陷状况和降低了表面复合速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 阳极 氧化 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碲镉汞阳极氧化装置，包括电源与氧化槽，其特征在于由脉冲式阳极氧化电源(1)和点触式阳极氧化槽(2)组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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