[实用新型]陶瓷封装半导体抗电涌器件无效
| 申请号： | 94241608.2 | 申请日： | 1994-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN2201727Y | 公开（公告）日： | 1995-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘光廷 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/28;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,魏学成 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 陶瓷封装半导体抗电涌器件是一种用于雷达、程控交换机等电子设备的输入保护器件，管壳采用金属陶瓷封装结构，陶瓷管两端的上、下金属电极将管芯密封在陶瓷管内，管芯的一面通过焊片与下电极连接，管芯的另一面通过富有弹性的环状金属带与上电极连接，管芯可采用台面型结构或平面型结构的半导体抗电涌器件，可将过压和过流保护为一体，具有漏电流小、成品率高、成本低和使用寿命长等优点，可直接与程控交换机的配线架匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷封装 半导体 抗电涌 器件 | ||
【主权项】：
1、一种用于雷达、程控交换机等电子设备的陶瓷封装半导体抗电涌器件，由管芯和管壳组成，其特征在于管壳采用金属陶瓷封装结构，陶瓷管两端的上、下金属电极将管芯密封在陶瓷管内，管芯的一面通过焊片与下电极连接，管芯的另一面通过金属带与上电极连接。
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