[发明专利]一种碳化硅再结晶制品的冷挤压成型一次烧成的方法无效
| 申请号： | 95100358.5 | 申请日： | 1995-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1129199A | 公开（公告）日： | 1996-08-21 |
| 发明（设计）人： | 薛天瑞 | 申请（专利权）人： | 薛天瑞 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56 |
| 代理公司： | 咸阳市专利事务所 | 代理人： | 康志安 |
| 地址： | 715600*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明给出了一种碳化硅再结晶制品的冷挤压成型一次烧成的方法。它是选用碳化硅为主料，其它配料有石墨粉、炭黑、聚乙烯醇，在常温下混料，真空挤压成型，然后烘干、烘处、浸沥青，在2100℃-2200℃的温度下一次烧成。采用本发明烧成的产品无分层、无月牙气孔、密度十分均匀，较之现有的生产方法，它有效地提高了产品的强度和成品率，缩短了周期，大幅度降低了能源消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 再结晶 制品 挤压 成型 一次 烧成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅再结晶制品的冷挤压成型一次烧成的方法，其特征在于它以碳化硅为主料，其中80目的占重量40％、120目的占重量20％、180目的占重量40％，其它配料属外加，分别占主料的重量比例是石墨粉占2.5％，碳黑占2％，聚乙烯醇占6％，在常温下混料，真空挤压成型，在40℃—50℃的温度下烘干，在300℃—350℃的温度下烘处，然后将烘处后的坯体浸沥青，在2100℃—2200℃的温度下一次烧成。
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