[发明专利]直接圆片结合结构和方法无效
申请号: | 95101412.9 | 申请日: | 1995-01-20 |
公开(公告)号: | CN1116361A | 公开(公告)日: | 1996-02-07 |
发明(设计)人: | 艾琳尼·佩奇斯;弗朗西斯克·塞科·达拉戈纳;詹姆斯·A·塞勒斯;雷蒙德·C·韦尔斯 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L21/08 | 分类号: | H01L21/08;H01L21/84 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 姜华 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种形成有高温金属氮化物隐埋层(16)并且有改善的热传导率的直接圆片结合结构的方法。通过用非氧化光致抗蚀剂剥离剂形成高温金属氮化层(16)图案,且不用光致抗蚀剂硬化步骤,可显著地改善在高温金属化物层(16)和随后在高温金属氮化物层上形成的介电层(17,27)之间的粘结。在高温环境中,介电层(17,27)粘接到高温金属氮化物层(16)上。此外,还提供了一种有高温金属氮化物隐埋层(16)和改善了热传导率的直接圆片结合结构。 | ||
搜索关键词: | 直接 结合 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制作直接圆片结合结构的方法,其特征在于以下步骤:提供具有一个第一和第二表面的、第一传导率型的有源衬底(11),在有源衬底(11)的第一表面上,形成一个高温金属氮化物层(16),在高温金属氮化物层上(16),沉积一层光致抗蚀剂层(21),选择地将光致抗蚀剂层(21)曝光,将光致抗蚀剂层(21)显影,以便选择地去除光致抗蚀剂形成一种图案,把高温金属氮化物层(16)蚀刻,使高温金属氮化物层(16)和光致抗蚀剂层(21)的图案一致,使用非氧化光致抗蚀剂剥离剂除去剩下的光致抗蚀剂层,在所述高温金属氮化物层(16)和所述第一表面的一部分上形成一个中间层(26,36,46),其中中间层(26,36,46)在随后的高温环境中粘接到高温金属氮化物层(16)上,将中间层(26,36,46)退火,将中间层(26,36,46)平整化;以及将一个处理衬底(24)结合到中间层(26,36,46)上,其中该中间层(26,36,46)将有源衬底(11)和高温金属氮化物层(16)同处理衬底(24)电绝缘。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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