[发明专利]在半导体表面制造T形栅极的方法无效
| 申请号： | 95101600.8 | 申请日： | 1995-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1112288A | 公开（公告）日： | 1995-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;叶甜春;钱鹤;吴德馨;王润梅;曹振亚;张学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于HEMT等微电子器件生产的在半导体表面制造T形栅电极的方法。它按T形电极顶宽的尺寸在半导体表面的胶层上挖槽，再用淀积和定向刻蚀法使槽内形成介质侧壁，再经淀积金属并剥离栅区以外的胶层与金属层，留下最终的T形栅电极。本发明能用较宽的T形顶尺寸加工图形得到更细的电极底面。它能用稍宽的光刻尺寸加工，实现逼近光学极限的栅长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 制造 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体表面制造T形栅电极的方法，其特征在于，它包含的制造步骤有：①在所述半导体表面铺展第一层材料，其厚度不超过所述T形栅电极的预定高度；②按照所述T形栅电极的预定顶面宽度在第一层材料中形成挖通全层或是挖留部分层厚的槽洞；③在第一层材料上以及在所形成的槽洞内淀积第二层绝缘材料；④用各向异性刻蚀法沿垂直于所述半导体表面的方向去除在第一层材料表面以及在槽洞底部淀积的第二层绝缘材料，保留槽洞侧壁上的第二层绝缘材料；⑤使槽洞外的第一层材料减薄，并使槽洞底所述T形栅电极预定形成部位的半导体表面裸露；⑥向槽洞内外淀积导电材料；⑦从所述半导体表面剥离全部第一层材料以及在第一层材料表面淀积的导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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