[发明专利]可关断半导体器件无效
| 申请号： | 95101648.2 | 申请日： | 1995-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1076876C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | Ａ·杰克林;Ｅ·拉梅扎尼;Ｐ·洛格韦勒;Ａ·吕格;Ｔ·施托克迈耶;Ｐ·施特赖特;Ｊ·沃尔德迈耶 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L23/367;H01L21/332 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,萧掬昌 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用片状半导体制成的可关断半导体器件，该半导体器件a）至少具有一个ＧＴＯ－晶闸管—单元或者ＧＴＯ－晶闸管（ＧＴＯ），它至少具有一个阳极单元或者一个阳极（Ａ），至少一个阴极单元或者一个阴极（Ｋ）和至少一个控制电极单元或者一个控制电极（Ｇ），其特征在于，b）在半导体边缘区至少设有一个有散热单元金属化层（１３）的散热单元（１５），和c）在此散热单元金属化层（１３）下面设有一个电绝缘层（１４）。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 可关断 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用片状半导体制成的可关断半导体器件，该半导体器件a)至少具有一个GTO-晶闸管-单元或者GTO-晶闸管(GTO)，它至少具有一个阳极单元或者一个阳极(A)，至少一个阴极单元或者一个阴极(K)和至少一个控制电极单元或者一个控制电极(G)；其特征在于，b)在半导体边缘区至少设有一个有散热单元金属化层(13)的散热单元(15)；和c)在此散热单元金属化层(13)下面设有一个电绝缘层(14)。
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