[发明专利]用于制造透明导电薄层的阴极溅射靶无效
| 申请号： | 95102479.5 | 申请日： | 1995-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1050864C | 公开（公告）日： | 2000-03-29 |
| 发明（设计）人： | Ｍ·施罗特;Ｍ·库茨纳;Ｍ·魏格特;Ｕ·康尼茨卡;Ｂ·格曼;Ｓ·法尔斯特龙 | 申请（专利权）人： | 莱博德材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,叶恺东 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于使用阴极溅射法制造透明导电薄层的一种溅射靶，由部分还原的氧化铟—氧化锡混合物粉末或部分还原的共沉淀氧化铟—氧化锡粉末制成，这种靶具有特别高的机械强度并且具有氧化物陶瓷的基质，其中以极其均匀分布的方式淀积着小于５０μｍ的Ｉｎ和／或Ｓｎ金属相颗粒，并且具有全氧化的氧化铟／氧化锡理论密度值的９６％以上的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 透明 导电 薄层 阴极 溅射 | ||
【主权项】：
1.用于制造透明、导电薄层的阴极溅射靶，由部分还原的氧化铟-氧化锡粉末混合物或由部分还原的混合沉淀的氧化铟—氧化锡粉末制成，其特征在于，溅射靶具有氧化物陶瓷基质，其中以极其均匀分布的方式沉积着小于50μm的In和/或Sn的金属相颗粒，其密度大于全氧化的氧化铟—/氧化锡的理论密度值的96％。
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