[发明专利]用于将集成电路芯片焊到芯片载体上的倒装片法无效
| 申请号： | 95103588.6 | 申请日： | 1995-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1066578C | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·帕特里克·高尔;阿托尼·保尔·英格拉汉姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于将集成电路芯片焊到芯片载体上的倒装片法。一种例如Ｐｂ／Ｓｎ二元合金的高熔点温度合成物淀积在例如芯片的触点上，同时一种例如Ｂｉ和Ｓｎ的低熔点合成物的成分共积在例如芯片载体的触点上。接着将芯片和芯片载体加热。这使例如Ｂｉ和Ｓｎ的较低熔点温度合成物熔化并形成例如一种Ｂｉ／Ｓｎ合金的低熔点温度合金。该低熔点合金将例如Ｐｂ／Ｓｎ的较高熔点合成物溶解。这就形成了例如Ｂｉ／Ｐｂ／Ｓｎ三元合金的低熔点第三种合成物焊接头。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 芯片 载体 倒装 | ||
【主权项】：
1．一种用于将集成电路芯片焊到芯片载体上的倒装片法，包括以下步骤：将第一种高熔点温度合成物淀积到芯片和芯片载体中一方的触点上，同时将第二种较低熔点温度合成物淀积到芯片和芯片载体中另一方的对应触点上；将芯片和芯片载体加热，使较低熔点合成物熔化，从而形成一种低熔点温度的第一焊接合金，该合金溶解高熔点温度的合成物，以形成第三种具有更低熔点温度的合成物，将集成电路芯片焊接到芯片载体上。
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