[发明专利]双元件磁致电阻传感器无效
| 申请号： | 95103631.9 | 申请日： | 1995-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1064163C | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 哈达亚尔·辛格·吉尔;穆斯塔法·皮纳尔巴西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有将两个无源端区分隔开的中央有源区的双元件磁致电阻（ＭＲ）传感器，包括被高电阻非磁性隔层分隔开的第一和第二ＭＲ元件，第一和第二ＭＲ元件和所述隔层基本上仅在中央有源区上延伸，其中，具有用来分别在第一和第二ＭＲ元件中提供纵向偏磁场的第一和第二纵向偏置装置，该第一和第二纵向偏置装置中的至少一个基本上在所述无源端区上延伸；且第一ＭＲ元件内的与第二ＭＲ元件内的纵向偏磁场的方向反平行。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 元件 致电 传感器 | ||
【主权项】：
1．一种双元件磁致电阻(MR)传感器，其具有将两个无源端区分隔开的中央有源区，该传感器包括：被由高电阻值材料构成的非磁性隔层分隔开的第一和第二MR元件，且所述第一和第二MR元件和所述隔层基本上仅在所述中央有源区上延伸，其特征在于：具有用来分别在所述第一和第二MR元件中提供纵向偏磁场的第一和第二纵向偏置装置，且该第一和第二纵向偏置装置中的至少一个基本上在所述无源端区上延伸；所述第一MR元件内的纵向偏磁场的方向与所述第二MR元件内的纵向偏磁场的方向反平行。
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