[发明专利]用含酸流体处理半导体材料的方法无效
| 申请号： | 95104759.0 | 申请日： | 1995-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1118517A | 公开（公告）日： | 1996-03-13 |
| 发明（设计）人： | 马克西来利安·斯塔德勒;冈特·施瓦布;彼得·罗迈德;加布里埃尔·特里弗纳 | 申请（专利权）人： | 瓦克硅电子半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用含酸流体处理半导体材料的方法，其中水作为化学反应的产物形成。在对半导体材料的处理之前和/或处理过程中，向含酸流体中加入五氧化二磷。 | ||
| 搜索关键词： | 用含酸 流体 处理 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用含酸流体处理半导体材料的方法，水作为化学反应的产物而形成，该方法包括：向含酸流体中加入五氧化二磷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
