[发明专利]自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统无效

专利信息
申请号: 95105053.2 申请日: 1995-04-27
公开(公告)号: CN1075651C 公开(公告)日: 2001-11-28
发明(设计)人: 罗伯特·E·方塔纳;林珊;宋钦华 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 范本国
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明为一种改进的旋转阀(SV)磁阻元件,它有一铁磁层,该铁磁层有一带有明确边缘的中央活跃区域和端部区域。在铁磁材料的端部区域形成一层最好是镍—锰(Ni-Mn)合金的反铁磁材料,并且相接触,以便与端部区域交互耦合,从而为其磁化提供纵向偏置。SV元件中的固定铁磁层是通过与一层最好是铁—锰(Fe-Mn)合金的反铁磁材料交互耦合来固定的,该材料与端部区域上的反铁磁材料具有完全不同的内尔温度。$#!
搜索关键词: 自旋 磁电 元件 应用 存贮 系统
【主权项】:
1.一种自旋阀磁电阻元件,包括:一个衬底;一个形成在上述衬底上的中央活跃层状结构,该中央活跃层状结构包括:一个自由铁磁层,该自由铁磁层在无磁场施加在其上时具有一个磁化取向;一个非磁性金属隔离层,该隔离层与上述自由铁磁层相邻并与之发生物理接触;一个固定铁磁层,该固定铁磁层与上述隔离层相邻并与之发生物理接触,所述固定铁磁层的磁化方向与上述自由铁磁层的磁化方向成一个角度;以及一个第一类型的反铁磁材料层,该反铁磁材料层被设置成与上述固定铁磁层相邻并与之发生物理接触,以便固定上述固定铁磁层的磁化方向;其特征在于:上述自由铁磁层、隔离层、固定铁磁层和第一类型反铁磁材料层具有基本相同的宽度和共同的侧面边缘;另外,上述自旋阀磁电阻元件还包括一个形成在上述基底上的纵向偏置端部区域层状结构,该层状结构紧靠上述的侧面边缘并与之发生物理接触,该层状结构包括:一个端部区域铁磁层,该端部区域铁磁层在上述的侧面边缘处紧靠上述的自由铁磁层并与之发生物理接触;以及一个第二类型的反铁磁层,该第二类型反铁磁层具有与上述的第一类型反铁磁层的成分和奈尔温度不同的成分和奈尔温度;上述第二类型反铁磁层形成在上述的端部区域铁磁层上并与之发生物理接触;以便在上述端部区域铁磁层中在纵向上使磁化交互偏置。
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