[发明专利]磁性体薄膜及其制造方法和磁头无效
申请号: | 95106049.X | 申请日: | 1995-05-16 |
公开(公告)号: | CN1126126C | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 平本雅祥;井上修;钉宫公一;饭岛贤二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01F10/08 | 分类号: | H01F10/08;H01F41/14;G11B5/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 罗宏,杨丽琴 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明通过使主磁性层2和中间层3交替层叠形成磁性体薄膜1来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜,主磁性层2由磁性结晶粒子构成,该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构,具有0.3≤ds/dl≤0.9的形状比范围,其中dl是磁性结晶粒子的平均高度,ds是平均直径。上述中间层3的饱和磁通密度与上述主磁性层相比至少小0.1特斯拉以上。 | ||
搜索关键词: | 磁性 薄膜 及其 制造 方法 磁头 | ||
【主权项】:
1.磁性体薄膜,由磁性结晶粒子构成的主磁性层与饱和磁通密度至少比上述主磁性层小0.1特斯拉以上的中间层交替层叠而得到,其中上述磁性结晶粒子实质上具有柱状结构,具有用0.3≤ds/dl≤0.9的范围表示的形状比,dl是上述磁性结晶粒子的平均高度,ds是平均直径。
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