[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括一Ｐ型半导体基片、第一和第二Ｐ阱、介于第一和第二Ｐ阱之间的Ｎ阱、用于使各阱相互电隔离及使第一阱与Ｐ型半导体基片电隔离的深槽元件隔离膜、以及在第一Ｐ阱之下所形成的介于深槽元件隔离膜的Ｎ型隐埋区，它适合于高集成化，并改善运作速度。

主权项

1.一种半导体器件，该器件包括：一个第一导电类型的半导体基片；在所说的半导体基片的预定面积内所形成的一个第二导电类型的阱区；第一导电类型的一个第一阱区和第一导电类型的一个第二阱区，它们形成在除所述半导体基片的所述第二导电类型的所述阱区的相对侧面之外的位置上；以及分别形成在所说的第二导电类型的阱区和所说的第一导电类型的第一阱区之间、在所说的第二导电类型的阱区和所说的第一导电类型的第二阱区、以及在所说的第一导电类型的第二阱区和所说的第一导电类型的半导体基片之间的各边界上的深槽元件的隔离膜，其特征在于，在所说的第一导电类型的第二阱区之下所形成的第二导电类型的隐埋区，用于使所说的第二阱区与所说的第一导电类型的半导体基片的电隔离。