[发明专利]结晶硅膜、半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 95106423.1 | 申请日： | 1995-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1055791C | 公开（公告）日： | 2000-08-23 |
| 发明（设计）人： | 牧田直树;船井尚 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的结晶硅膜系于在基板上形成一受导入有供助长结晶化之触媒元素的非晶硅膜之后，使其在一因热处理而会产生结晶核之时期的一部分或整个时期当中，产生结晶核，然后，在于防止产生结晶核之状态下，进行结晶生长。结果，可以获得一结晶粒之尺寸具有均一性的良质硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产半导体器件的方法，包括下列步骤：在一基板上形成非晶硅膜，并在膜中引进一触媒元素以促进结晶作用；通过加热非晶硅膜，在部分或全部晶核产生期间，产生晶核；以及在防止附加晶核产生的同时，于非晶硅膜中生长晶体。
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