[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 95107198.X | 申请日： | 1995-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1123471A | 公开（公告）日： | 1996-05-29 |
| 发明（设计）人： | 寺本聪;大谷久;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，特别是交错型薄膜晶体管，包括一种含N或P型杂质的半导体区；在半导体区之上或之下设置的一层，所述层含有催化元素，对非晶硅的晶化起加速作用，并具有基本与半导体区相同的形状；覆盖半导体区的基本上为本征的半导体层；覆盖半导体区的基本上为本征的半导体区；覆盖半导体层的绝缘膜；设置在绝缘膜上的栅电极。权利要求还包括制造上述半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一对半导体区，包含硅并具有杂质导电类型；在所述半导体区之上或者之下设置的一层，所述层含有催化元素，对硅的晶化起加速作用，并且基本上是与所述半导区共同延伸的；基本上为本征的半导体层，在所述半导体区上形成半延伸于其间，所述半导体层包含硅；形成于所述半导体层之上的绝缘膜；设置在绝缘膜之上的栅电极。
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