[发明专利]检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差所致缺陷的方法无效
| 申请号： | 95107601.9 | 申请日： | 1995-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1076828C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 裵相满 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过肉眼检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差所致缺陷的方法，即使是２５６Ｍ以上的ＤＲＡＭ器件也能精确控制光刻胶膜图形关键尺寸，并允许精确地分析产额，该法包括以下各步骤使光刻胶膜在低温经受热处理，以使得某些低分子量化合物或溶剂分子保留在光刻胶膜内；在光刻胶膜上形成一定厚的特殊材料层，使留下的低分子量化合物或溶剂分子从光刻胶膜经特殊材料层的较薄部分涌出。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶片 光刻 胶膜 微观 厚度 所致 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差所致缺陷的方法，该方法包括以下各步骤：使光刻胶膜在150℃-300℃温度下经受低温热处理；在该光刻胶膜上形成特殊材料层；在200℃～500℃温度下实行高温热处理，使低分子量化合物或溶剂分子经特殊材料层的较薄部分从光刻胶膜逸出，其被认作为缺陷；检测经特殊材料层逸出的上述缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95107601.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的图形对准标记
- 下一篇：一种酒精清洁生产工艺
