[发明专利]光掩模及其制造方法无效
申请号: | 95107777.5 | 申请日: | 1995-06-28 |
公开(公告)号: | CN1109924C | 公开(公告)日: | 2003-05-28 |
发明(设计)人: | 长谷川升雄;寺泽恒男;福田宏;早野胜也;今井彰;茂庭明美;冈崎信次 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光掩模,该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低,或防止产生不需要的投影像,且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形,通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D=bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35<b≤1.9。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,至少包括对曝光用光半透明的区域和透明的区域,且通过上述半透明区域和上述透明区域的光的相位反转,其特征在于:在由上述透明区域构成的主图形的周围,配置透过光的相位差与上述透明区域相同而且透明的辅助图形,上述主图形的中心或者中心线与上述辅助图形的中心或者中心线之间的距离D满足D=bλ/NAm的关系,式中,NAm为投影光学系统的掩模一侧的数值孔径,λ为曝光波长,b为系数,取值范围为1.35<b≤1.9。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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