[发明专利]半导体器件场氧化层的形成方法无效
| 申请号： | 95108397.X | 申请日： | 1995-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1108637C | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 朴相勋 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能最大限度地减少鸟嘴出现的半导体器件场氧化层形成方法，减少鸟嘴的具体措施是在氮化层上绘制线路图形从而界定出场区；再在本来会出现鸟嘴的部分注入氮原子，由此形成防氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.形成半导体器件场氧化层的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：在硅基片上依次形成氧化垫层、多晶硅垫层和氮化层；在所述氮化层上绘制线路图形界定场区之后，形成沟道截断区；在所述露出的多晶硅垫层经选定的部分形成光致抗蚀剂图形，再往所述光致抗蚀剂图形边缘外露出的所述多晶硅垫层注入氮原子，形成防氧化层；除去所述光致抗蚀剂图形之后进行热氧化处理，然后除去所述氮化层、多晶硅垫层和氧化垫层，由此形成氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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