[发明专利]相移掩模无效
申请号: | 95108595.6 | 申请日: | 1995-06-23 |
公开(公告)号: | CN1091262C | 公开(公告)日: | 2002-09-18 |
发明(设计)人: | 咸泳穆 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马涛 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种相移掩模,目的是修正位于掩模周围部分的不透光图形,由此补偿掩模周围部分当光通过掩模后光强相对减小引起的光强偏差。本发明保证光刻胶膜的图形临界尺寸的均匀度,这样就保证了半导体元器件的可靠性和生产效率。 | ||
搜索关键词: | 相移 | ||
【主权项】:
1、一相移掩模,具有这样的结构,将多个不透光图形以规则的间隔形成在掩模基板上,并形成相移材料,该相移材料不仅覆盖一不透光图形和与其最临近的不透光图形之间的间隙,而且覆盖上述两个不透光图形的指定部分,该相移掩模包括:在位于该掩模周围部分的不透光图形之中形成内或外不透光图形,该内或外不透光图形比其它不透光图形厚,使该内或外不透光图形侧边缘上产生不规则反射,以补偿光强差,该周围部分是光通过掩模后光强相对减小的部分。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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