[发明专利]制造磁头的方法无效

专利信息
申请号: 95109191.3 申请日: 1995-07-13
公开(公告)号: CN1125439C 公开(公告)日: 2003-10-22
发明(设计)人: 朴永洙;金相准;金圣薰;李兆远 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B5/255 分类号: G11B5/255;G11B5/127
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 罗亚川
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于制造磁头的方法,该磁头用于在或从磁记录介质,例如录象带上记录或重放信息,该方法包括,制备具有同磁带相接触的一接触面的一片磁芯,该磁芯有一用于形成泄漏磁场的间隙,利用离子蚀刻方法对该片磁芯的接触面进行抛光,该离子蚀刻即是用离子碰撞该接触面。在接触面上形成保护层,该保护层是由具有高度表面润滑特性和良好的抗磨损特性的材料制成。用上述方法,磁头污染降低,磁头寿命延长和磁记录和重放特能得到改进。
搜索关键词: 制造 磁头 方法
【主权项】:
1.一种用于制造磁头的方法,包括如下步骤:准备一具有一接触面的片磁芯,该接触面与磁带接触并在其上构成一形成一泄漏磁场的磁隙;利用离子蚀刻方法对所述片磁芯的所述接触面进行抛光,即用离子碰撞接触面;并且所述离子相对于所述接触面以70°或低于70°的斜线方向碰撞所述片磁芯的所述接触面,在所述接触面上形成一保护层,该保护层由从由非晶体类金刚石碳(DLC),YSZ,W,CN,Si3N4,MoS2,TiC和TiN组成的组中选出的一个构成。
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