[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

薄膜半导体器件，例如ＴＦＴ及其制造方法。ＴＦＴ形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如ＴＦＴ。形成主要由氮化铝组成第１涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第２涂层，其上可制作半导器件。

主权项

1．一种半导体器件，包括：一衬底，有彼此对置的上表面和下表面；一第一阻挡层，在所述衬底的上表面上形成；一绝缘栅场效应晶体管，在所述第一阻挡层上方形成；其特征在于，所述第一阻挡层包含氮化铝，其中铝和氮之比为0.9-1.4范围。