[发明专利]半导体器件的图形对准标记无效
| 申请号： | 95109443.2 | 申请日： | 1995-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1076836C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 裴相满;崔秉一 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧,张玉红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种图形对准标记，其具有至少一个在半导体器件的制造工艺期间用于对准的已指定测量图形，包括具有衰减所述已指定的测量图形中具有较高的光反射强度的测量图形的光反射的装置，本发明通过消除在测量图形的重叠精度时光反射强度的差异，事先防止了图形误差的出现，使生产稳定，并减少了加工时间从而提高了加工的准确性，增加了产量。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 图形 对准 标记 | ||
【主权项】：
1、一种图形对准标记，至少具有一个在半导体器件的制造工艺期间用于对准的被指定测量图形，所述被指定测量图形采用包括内框和外框的双框的型式，其特征在于，所述外框沿一X轴的光反射强度大于沿一Y轴的光反射强度，其中一个用于衰减所述被指定测量图形的光反射的装置沿所述X轴设置在所述外框上，该用于衰减光反射的装置包括一光致抗蚀剂层，并且其中所述用于衰减光反射的装置的一边缘与沿具有较高光反射强度的X轴的所述外框的另一边缘外侧的间距至少为2μm。
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