[发明专利]形成半导体器件电荷存贮电极的方法

摘要

本发明提供采用简单的且能得到增大的表面面积并达到提高生产率及工作可靠性的工艺步骤来形成半导体器件电荷存贮电极的方法，该方法包括以下各步骤使用电荷存贮电极掩模对填充在电荷存贮电极接触孔的多晶硅层刻图；在位于刻成图形的多晶硅层之下的层间绝缘膜的裸露部位上选择生长氧化膜；去掉电荷存贮电极掩模，形成另一多晶硅膜，使其环绕选择生长的氧化膜；以及实施后续的工艺步骤。

主权项

1．一种形成半导体器件电荷存贮电极的方法，包括以下各步骤：在一半导体衬底上形成层间绝缘膜；去掉该层间绝缘膜位于部分半导体衬底之上的部位，各限定一电荷存贮电极接触，因而形成电荷存贮电极接触孔；在电荷存贮电极接触孔形成之后所得到结构上形成第一多晶硅层，使第一多晶硅层通过电荷存贮电极接触孔与半导体衬底接触；在所述第一多晶硅层上形成第一光刻胶膜图形，作为电荷存贮电极掩模，以保护第一多晶硅层各个填入电荷存储电极接触孔的部位；去掉第一多晶硅层未被电荷存贮电极掩模覆盖的部位，因而部分地露出了层间绝缘膜；在该层间绝缘膜的各裸露部位上选择生长氧化膜，使选择生长的氧化膜向上突出超过电荷存贮电极掩模的上表面；去掉第一光刻胶膜图形；在所得结构上形成第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成第二光刻胶膜图形；腐蚀第二多晶硅层，使第二多晶硅层具有相互分离的各部位，因而形成由第一多晶硅层图形和带有弯曲部位的第二多晶硅层图形构成的电荷存贮电极。