[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 95109812.8 | 申请日： | 1995-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1091953C | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董江雄,萧掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用激光照射局部形成可以被认为是单晶体的区域106，并用这些区域至少构成沟道形区域112。通过具有这种结构的薄膜晶体管，就能得到与利用单晶体构成的薄膜晶体管类似的特性。此外，通过并联连接多个这样的薄膜晶体管，就能得到实际上与沟道宽度增加的单晶体薄膜晶体管相同的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它利用了形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜硅半导体，其中该薄膜硅半导体具有一个可以被认为实际上是单晶体的区域，该区域构成至少一部分有源层，以及该区域包含浓度在5×1018cm-3或以下的碳和氮原子，浓度在5×1019cm-3或以下的氧原子，和浓度在5×1020cm-3或以下的氢原子，氢原子中和硅内不成对的键，其中该区域中的喇曼光谱强度与单晶硅的喇曼光谱强度之比至少是0.8。
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