[发明专利]大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法

摘要

本发明涉及大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法。在已有技术中，用硅橡胶钝化法生产的大台面晶闸管的漏电流大、耐压特性差。本发明采用双重屏蔽，采用三种不同配比的腐蚀液一次连续成型制得类台面，反复熔烧玻璃粉制备玻璃钝化膜。本发明可广泛的用于大台面器件的系列产品钝化，性能可靠、高温特性好，耐压在１４００—２８００Ｖ，便于大批量生产。

主权项

1、大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法，取完成PN结的芯片(1)，激光割圆后，其特征在于，台面的玻璃钝化过程按以下顺序进行：双面蒸铝形成辅助层(2)，并涂覆高抗蚀光刻胶(3)，进行双重屏蔽；双面光刻；采用三种不同配比的腐蚀液一次连续成型制得类台面(4)，具体过程是；腐蚀液放在冰水内，在5℃条件下腐蚀，把芯片(1)置入HNO3、HF、CH3CooH按配比6∶1∶1配成的腐蚀液内腐蚀20分钟，取出芯片(1)直接放入HNO3、HF、CH3CooH按配比4∶1∶1配成的腐蚀液内腐蚀4分钟，取出芯片(1)放入HNO3、HF、CH3CooH、HClO4按配比7∶3∶2∶1配成的腐蚀液内腐蚀1分钟，制得类台面(4)；清洗处理后，用ZnO、PbO系玻璃粉涂覆，按玻璃粉的DTA曲线熔凝玻璃粉，反复熔凝成三层玻璃钝化膜，具体过程是：用ZnO系玻璃粉加无离子水搅拌均匀成浆状，用博士刀刮浆法填充于类台面(4)内进行双面刮涂，投炉后根据玻璃的DTA曲线熔凝制备第一层玻璃钝化膜(5)，自然降温，用同样的方法，第二遍用ZnO系玻璃粉形成第二层玻璃钝化膜(6)，第三遍用PbO系玻璃粉形成第三层玻璃钝化膜(7)。