[发明专利]具有过渡层的碲化镉太阳电池无效

专利信息
申请号: 95111437.9 申请日: 1995-07-20
公开(公告)号: CN1055792C 公开(公告)日: 2000-08-23
发明(设计)人: 冯良桓;蔡亚平 申请(专利权)人: 四川联合大学
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;H01L31/04
代理公司: 四川大学专利事务所 代理人: 刘金蓉
地址: 61006*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 具有过渡层的碲化镉太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。在碲化镉(P)与背接触层[P-型掺杂碲化锌(Z)或导电背电极(M)]之间加入不掺杂或低掺杂或两者迭加的碲化锌过渡层(B)。其掺杂浓度可以是均匀的,也可以是随过渡层厚度变化的,厚度在20A以上。该过渡层能改进原相邻两层之间的晶格匹配,阻止背接触层中的掺杂剂原子或金属原子向碲化镉扩散,堵塞碲化镉的漏电通道。从而提高了这种电池的光电转换效率和稳定性。
搜索关键词: 具有 过渡 碲化镉 太阳电池
【主权项】:
1.一种碲化镉太阳电池,其结构为透明导电膜(T)/n-型硫化镉(C)/p-型碲化镉(P)/p-型碲化锌(Z)背接触层/导电背电极(M),其特征是具有不掺杂或掺杂浓度低于3%的碲化锌过渡层(B),该过渡层在太阳电池结构中是:加在碲化镉(P)与碲化锌背接触层(Z)之间或者加在碲化镉(P)与导电背电极(M)之间代替背接触层(Z)。
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