[发明专利]制造半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 95113148.6 申请日: 1995-12-25
公开(公告)号: CN1051641C 公开(公告)日: 2000-04-19
发明(设计)人: 八木能彦;东和司;塚原法人;熊谷浩一;米泽隆弘 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/50;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 萧掬昌,王岳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 设置于半导体芯片(4)的表面上的电极端(5)在平面视图上具有方形。而且,设置于电极端(5)上的凸块(8)的突出顶部(8a)指向电极端(5)的角部(5a)。于是,使通过毛细管(1)供给的金丝(2)的下端部熔化而形成的金球(2a)与电极端(5)接合,然后,沿方形电极(5)的对角线方向移动毛细管(1)。因而,使金丝(2)的主体与金球(2a)分离开,以形成凸块(8)。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括用金丝作凸块材料在设置于半导体芯片表面上的电极端上形成凸块的步骤,所说的金丝是通过毛细管供给的,所述的电极端的平面视图为方形,以及所述的凸块形成步骤包括以下各步骤:将金球接合到所述的电极端上,所述的金球是将所述的金丝的端部熔化而形成的;以及沿所述的方形电极端的对角线方向移动所述的毛细管,以使所述的金丝的主体与所述的金球分离开。
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