[发明专利]用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法无效
申请号: | 95113199.0 | 申请日: | 1995-12-28 |
公开(公告)号: | CN1106029C | 公开(公告)日: | 2003-04-16 |
发明(设计)人: | 佐仓直喜 | 申请(专利权)人: | NEC化合物半导体器件株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03C5/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,邹光新 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模(23a)的表面中出现张力,而形成于光刻胶掩膜中的粘附力(23c)吸收了该张力,因而保持对半导体衬底(22)粘附力,防止了光刻胶图形出现不希望的变形(图3D)。 | ||
搜索关键词: | 图形 形成 光刻 胶掩模将层 精确 构图 目标 方法 | ||
【主权项】:
1.一种构成带有图形的层(22;31)的方法,包括下述工艺步骤:(a)在半导体衬底(22;32)上或其上方制备光刻胶层(23;34);(b)把掩模图形(24a)转移到所述光刻胶层(23;34);(c)将所述光刻胶层(23;34)中的所述掩模图形(24a)显影,将所述光刻胶层构成光刻胶掩模(23a;34a);(d)烘烤所述光刻胶掩模(23a;34a),以便提高附着力;以及(e)用所述光刻胶掩模(23a;34a),在半导体衬底(22;32)中或其上构成所述的带有所述图形的层(22;31),其特征是:所述掩模图形有:用于构成带有所述图形的所述层(22;31)的主图像(24c;25a),和用于在所述光刻胶层(23;24)中构成至少一个槽(23c;34c)的假图像(24d;25b),以使所述槽(23c;34c)在所述步骤(c)中构成在所述光刻胶掩模(23a;34a)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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