[发明专利]制造具有多层互连的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 95115252.1 | 申请日： | 1995-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1063580C | 公开（公告）日： | 2001-03-21 |
| 发明（设计）人： | 落合昭彦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造具有多层互连的半导体器件的方法，包括在第一衬底的表面上形成沟槽；在沟槽和第一衬底的表面上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上形成第一互连层；在第一衬底的表面上形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜上形成第二互连层；在所述第二绝缘膜的表面上依次形成第三绝缘膜和粘连层；在粘结层的表面上粘连第二衬底；通过从背面和沟槽底部去除第一衬底；和在第一衬底背面形成第四绝缘膜，并在第四绝缘膜上形成第三互连层。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 多层 互连 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造具有多层互连的半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一衬底的表面上形成一个沟槽，以提供一个元件隔离区；在沟槽和第一衬底的表面上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上形成第一互连层；在第一衬底的表面上形成第二绝缘膜，以便覆盖第一互连层并填充沟槽；在第二绝缘膜上形成第二互连层；在所述第二绝缘膜的表面上依次形成第三绝缘膜和粘结层，以覆盖第二互连层；在粘结层的表面上粘连第二衬底；通过从背面和沟槽底部去除第一衬底，使第一衬底背面平整化；和在第一衬底背面形成第四绝缘膜，并在第四绝缘膜上形成第三互连层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
