[发明专利]快速等离子处理的设备和方法

摘要

本发明的等离子处理设备适宜用较高淀积速率使基片涂敷出具有防潮性能之薄膜。该设备包括一个易抽空的空腔，在该空腔内限定一个面向等离子体的表面的供电电极，和一个与该面向等离子体表面横向间距为Δ的护罩。在等离子处理期间，等离子体被约束在距离Δ范围内，同时基片被连续进给而通过被约束的等离子体。

主权项

1.用于制备具有汽阻保护性能供包装用的基片的方法，该方法包括如下步骤：提供聚合物的基片；建立从易挥发的有机硅烷、氧和一种隋性气体在一真空室内所产生的辉光放电等离子体，同时维持真空室压力至少小于0.1乇左右；将等离子体约束成一条带，它具有一维尺寸不大于12英寸的距离Δ，该距离Δ被限定在一个负偏置的面向等离子体的表面与一个相对的被冷却的护罩之间；使至少一部分基片通过所述受约束的等离子体并经历一段在所述基片部分上有效淀积具有汽阻保护性能的氧化硅基本组分薄膜的时间，同时将所述负偏压连接到所述基片部分。