[发明专利]绝缘基体材料上的镀覆方法及由此方法得到的带有镀膜的制品无效
| 申请号： | 95116632.8 | 申请日： | 1995-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1148470C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 吉川博之;名古屋信男;小林健;须藤干夫;屋诚正行 | 申请（专利权）人： | 希普列远东股份公司 |
| 主分类号： | C25D5/54 | 分类号： | C25D5/54;C23C28/00;H05K3/38;H05K3/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供在表面平滑的绝缘基体材料表面，简便且低成本地生产与基体材料的结合力良好的金属薄膜的方法，以及由此方法得到的带有镀膜的制品。本发明涉及在绝缘基体材料上镀覆的方法，其特征是包括在绝缘基体材料上形成含氧化物的导电膜的过程1，将上述的导电膜表层进行还原处理，在该导电膜表面形成还原层的过程2，将上述还原层与含有具有催化作用的金属离子的处理液作用，在该还原层表面形成催化剂层的过程3，和在上述含有催化剂层的导电膜上进行金属化学镀覆的过程4。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 基体 材料 镀覆 方法 由此 得到 带有 镀膜 制品 | ||
【主权项】：
1.在绝缘基体材料上镀覆的方法，包括在绝缘基体材料上形成含氧化物的导电膜的过程1，将上述导电膜表层进行还原处理，在该导电膜表层形成还原层的过程2，上述还原层与含有具有催化作用的金属离子的处理液作用，在该还原层表面形成催化剂层的过程3，和在上述具有催化剂层的导电膜上进行金属化学镀覆的过程4。
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