[发明专利]半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 95116817.7 | 申请日： | 1995-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1138747A | 公开（公告）日： | 1996-12-25 |
| 发明（设计）人： | 元田隆;加藤学;竹见政义 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L33/00;H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 腐蚀 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体腐蚀方法，包括：把III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下、利用含有组成上述III-V族化合物半导体层的V族材料的腐蚀气体腐蚀上述III-V族化合物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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