[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管（TFT）的有源区添加了浓度为1×101６－5×1019cm-3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。$#!

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下各步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成硅的非晶半导体薄膜；有选择地向所述硅的非晶半导体薄膜的第一部分提供一种金属元素，同时不向所述硅的非晶半导体薄膜的第二部分提供所述金属元素，所述金属元素能够促进所述硅的半导体薄膜结晶；用光辐照所述硅的非晶半导体薄膜期间，对所述硅的非晶半导体薄膜在450℃至750℃的温度范围内加热，使所述硅的非晶半导体薄膜结晶，因此所述硅的非晶半导体薄膜的至少所述第一部分不含有晶粒边界；在所述硅的结晶半导体薄膜的所述第二部分中形成第一薄膜晶体管的一个有源区；以及在所述硅的结晶半导体薄膜的所述第一部分中形成第二薄膜晶体管的一个有源区。