[发明专利]有用改进位线预充电系统的分层位线结构的半导体存储器无效
| 申请号： | 95117755.9 | 申请日： | 1995-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1144227C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 筑出正树;鹤田孝弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括一个主位线对、多个子位线对、多个选择晶体管对、多个字线、多个存储单元、多个第一预充电电路和一个读出发大器。各子位线对沿主位线对排列成直线；选择晶体管连接在主位线对和相应的子位线对之间且根据规定的选择信号导通；字线与各子位线相交；每一存储单元置于各子位线与字线的交点并与之连接；第一预充电电路对应于子位线对设置；读出放大器与所述主位线对相连，用于放大主位线对的各主位线之间的电位差。 | ||
| 搜索关键词： | 有用 进位 充电 系统 层位 结构 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：一个主位线对；多个沿上述主位线对排列的子位线对；多个选择晶体管对，每个晶体管对连接在上述主位线对和相应的子位线对之间并根据规定的选择信号而导通；多个排列成与上述多个子位线对相交的字线；多个对应于上述多个子位线对的各个子位线和上述多个字线之间的交点而提供的存储单元，每个存储单元与相应的子位线和相应的字线连接；用于将上述多个子位线对直接预充电到规定的预充电电位的预充电装置；以及一个与所述主位线对相连接的读出放大器，用于放大所述主位对的主位线之间出现的电位差，相应的子位线对通过各自的选择晶体管连接到所述主位线对，该晶体管具有与所述读出放大器放大前的相应的存储单元中的数据相对应的未放大的电平。
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