[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 95117780.X | 申请日： | 1995-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1088255C | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;楠本直人;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅半导体膜；使金属元素与非晶硅半导体膜保持接触；通过加热在非晶硅膜表面上形成含有该金属元素的层；通过把含有该金属元素的层形成图形，形成作为晶体生长核的至少一个岛；从包括金属元素的岛，在非晶硅半导体膜中进行晶体生长，以形成至少一个基本上不含晶界的结晶区；在基本上不含晶界的结晶区中形成有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
