[发明专利]制造单片多功能集成电路器件的方法无效
| 申请号： | 95118143.2 | 申请日： | 1995-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1131819A | 公开（公告）日： | 1996-09-25 |
| 发明（设计）人： | 德怀特·C·斯特赖特;唐纳德·K·昂莫托;阿伦·K·奥基;凯文·W·科巴亚欣 | 申请（专利权）人： | TRW公司 |
| 主分类号： | H01L21/8248 | 分类号： | H01L21/8248 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一衬底上制造包括PIN二极管器件、HBT器件、HEMT器件和MESFET器件的组合的单片集成电路器件的方法，包括在衬底上淀积上述各器件之一的断面层，然后在该断面层上淀积第一介质层，刻蚀该断面层和介质层以限定第一器件断面，在露出的衬底上淀积第二断面层，选择性刻蚀第二断面以确定第二器件断面。该工艺可推广到在一公共衬底上单片集成两个以上的不同器件，只要先制作的器件稳定得足以承受制作后部器件所用的温度循环。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 单片 多功能 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成电路，它具有一个衬底；一个制备该衬底上的高电子迁移率晶体管(HEMT)，上述HEMT包括用选择性分子束外延(MBE)淀积在该衬底上的多个HEMT断面层，以使该HEMT衬底接触的断面层与衬底形成外延键合；以及一个制备在该衬底上的第一半导体器件，上述第一半导体器件包括用MBE淀积在该衬底上的多个第一半导体器件断面层，以使该第一半导体器件与衬底接触的断面层与衬底形成外延键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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