[发明专利]电可编程记忆体及其制作方法无效
| 申请号： | 95118351.6 | 申请日： | 1995-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1153985A | 公开（公告）日： | 1997-07-09 |
| 发明（设计）人： | 梁桂彰;杨宇浩 | 申请（专利权）人： | 华隆微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐娴 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电可编程记忆体及其制作方法，其步骤是提供一硅基板，并在其中植入高浓度杂质以形成第一埋层及第二埋层；在该硅基底及所述第一埋层、第二埋层依序进行栅层氧化硅及第一多晶硅层沉积；在第一多晶硅层上成长一隔绝层；并蚀刻非浮动栅极阻部分的隔绝层及第一多晶硅层，再去除浮动栅极光阻；进行一薄氧化层沉积；进行全面性第二多晶硅层沉积；以控制栅极光阻对准，并蚀刻非控制栅极部分的第二多晶硅层，并对该隔绝层及所述第一多晶硅层进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 记忆体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电可编程记忆体的制作方法，包括下列步骤：提供一硅基板，并在该硅基底植入高浓度杂质以形成第一埋层及第二埋层；在该硅基底及所述第一埋层、第二埋层依序进行栅层氧化硅及第一多晶硅层沉积；在第一多晶硅层上成长一隔绝层；以浮动栅极光阻对准，并蚀刻非浮动栅极阻部份的隔绝层及第一多晶硅层，再去除浮动栅极光阻；在移去该浮动栅极光阻后，进行一薄氧化层沉积；进行全面性第二多晶硅层沉积；以控制栅极光阻对准，并蚀刻非控制栅极部份的第二多晶硅层，再去除控制栅极光阻；成长一厚氧化层，且该厚氧化层的厚度大于该隔绝层的等效厚度；及利用在控制栅极所成长的厚氧化层为阻隔光阻作为自我对准蚀刻用的光阻，并对该隔绝层及所述第一多晶硅层进行蚀刻。
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