[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 95118497.0 | 申请日： | 1995-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1054457C | 公开（公告）日： | 2000-07-12 |
| 发明（设计）人： | 望月义夫;加藤秀夫;杉浦伸竹 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明旨在提供一种半导体存储装置及其制造方法。本发明的有效地址数据确定器１具有与芯片固有的内部地址对应的非易失性电路特性或配线，输出有效地址数据。伪数据发生电路２产生伪数据。有效数据区域检测电路３将有效地址数据与内部地址进行比较，如果是有效地址区域，就生成信号ＲＥＡＬ。输出选择电路４根据信号ＲＥＡＬ决定把伪数据从输出选择电路４输出，还是将从读出放大器输入的自己的单元数据进行输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：配置成矩阵状的多个存储单元；与上述存储单元的栅极连接的多条字线；与上述存储单元的漏极连接的多条位线；向上述字线供给电压的装置；具有在进行读出动作时使上述多个存储单元中要进行读出的一定存储单元在内部进行读出的装置的位线选择装置；检测由上述位线选择装置选择的指定的位线上的电位并读出上述多个存储单元中进行读出的存储单元中流过的电流的读出放大器；其特征在于：将上述读出放大器的输出作为输入的输出电路；具有与芯片固有的内部地址对应的非易失性电路特性或配线并在工作电源供给状态下输出有效地址数据的有效地址数据确定部；将该有效地址数据与上述内部地址进行比较并当是有效地址区域时生成决定是否向外部输出自己的单元数据的信号的有效数据区域检测电路；当上述内部地址是伪数据区域时发生伪数据的伪数据发生电路；和切换上述伪数据及上述单元数据的输出选择电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95118497.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗偏瘫病的中成药
- 下一篇：纺织材料和纺织制品的抗菌防臭加工方法及其制品
