[发明专利]在半导体器件间设置隔离的方法

摘要

一种在半导体器件间设置隔离的方法，包括在硅衬底上形成第一氧化膜和氮化硅膜；形成第一光致抗蚀膜图形，蚀刻露出部分至一定深度；去除第一抗蚀膜；生长第二氧化物，至离开构成图形的氮化硅层和第一氧化层一定距离；在除氮化硅层之外形成第二光致抗蚀膜；蚀刻氮化硅、第一氧化层及其竖直下方的第二氧化物；去除第二抗蚀膜；外延生长露出的硅衬底；淀积绝缘层；及抛光直至露出外延层。该方法避免了常规方法的鸟嘴，扩大了有源区。

主权项

1、一种在半导体器件间设置隔离的方法，包括以下步骤：(A)在硅半导体衬底上顺序形成第一氧化膜和氮化硅层；(B)在该氮化硅层上形成第一光致抗蚀剂图形，这里尚未形成在半导体器件间隔离的场氧化物；(C)蚀刻没有光致抗蚀剂膜的裸露的氮化物和其下的硅层至预定深度；(D)去除第一光致抗蚀剂膜；(E)氧化由步骤(D)所得到的晶片，直至在已腐蚀过的硅衬底上生长第二氧化物，并使生长的第二氧化物的侧壁自身从已构图的氮化物和第一氧化层的区域向外离开一预定的距离；(F)在由步骤(E)所得到的结构中除氮化物层表面之外的部分形成第二光致抗蚀剂膜，并使整个表面平面化，使其与氮化层表面同高；(G)腐蚀氮化物层、第一氧化物层及位于第一氧化物竖直下方的那部分第二氧化物；(H)去除第二光致抗蚀剂膜；(I)外延生长从步骤(G)露出的Si衬底裸露部分；(J)在由步骤(I)所得的结构上淀积绝缘层；以及(K)抛光淀积后的绝缘层直至露出外延层。