[发明专利]热电式冷却装置所用半导体的制备方法无效
| 申请号： | 95119063.6 | 申请日： | 1994-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1074585C | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 渡边日出男;酒井一成;久野文雄;大泽敦;手塚弘房 | 申请（专利权）人： | 莎莫波尼克株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/30;H01L35/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 章鸣玉 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种适用于热电式冷冻机用热电式冷却装置的半导体的制备方法，包括以下步骤烧结制造半导体的粒状陶瓷混合物，同时在该粒状陶瓷混合物上施加电压，以在该粒状陶瓷混合物的颗粒间产生等离子体放电，从而激活微粒表面，并从微粒表面除去淀积的氧化物和吸附的气体。用本发明的方法，可以高生产率地制造具有高的平均品质因数（Ｚ）的半导体。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 热电 冷却 装置 所用 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．适用于热电式冷冻机用热电式冷却装置的半导体的制备方法，所述热电式冷冻机用热电式冷却装置包括以下部件：多个并列设置的P型半导体层(10)和n型半导体层(11)；具有吸热侧电极(8)的第一内导热体(KCP；17)，所述电极置于该P型和n型半导体层(10,11)的吸热侧一端的外侧；置于第一内导热体(KCP；17)外侧的第一外导热体(KC；4)；具有散热侧电极(12)的第二内导热体(KHP；17)，所述电极置于该P型和n型半导体层(10,11)的散热侧一端的外侧；及置于第二内导热体(KHP；17)外侧的第二外导热体(KH；6)，所述P型半导体层(10)和所述n型半导体层(11)通过所述的吸热侧电极(8)及散热侧电极(12)在电学上串联；其中，所述的P型半导体层(10)和n型半导体层(11)具有≤0.15cm的平均厚度t，而所述P型半导体层(10)和n型半导体层(11)的平均品质因数(Z)控制在至少2.7×10-3(/K)；所述第一内导热体(KCP；17)的热导(KCP)控制在对每cm2的P型和n型半导体层的横截面面积为8-20W/℃cm2范围；所述第一外导热体(KC；4)的热导(KC)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为3-10W/℃cm2范围；所述的第二内导热体(KHP；17)的热导(KHP)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为8-20W/℃cm2；所述的第二外导热体(KH；6)的热导(KH)控制在对每cm2的P型和n型半导体层横截面面积为3-10W/℃cm2，而以吸收热量JQ与输入电能P之比(JQ/P)定义的有效系数(COP)至少为0.6。制备方法的特征在于：烧结制造半导体的粒状陶瓷混合物，同时在该粒状陶瓷混合物上施加电压，以在该粒状陶瓷混合物的颗粒间产生等离子体放电，从而激活微粒表面，并从微粒表面除去淀积的氧化物和吸附的气体。
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