[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体基板（１ｂ）中与其主表面不相连的位置处形成一个埋层绝缘层（２）。在半导体基板（１ｂ）的主表面中形成一个ＬＯＣＯＳ绝缘膜（３ｂ），用于使有源区之间彼此绝缘。在有源区里形成薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有栅极电极（８），该电极形成于有源区上边，中间夹有栅极绝缘层（７）。在半导体基板（１ｂ）的主表面中栅极电极（８）的两侧形成一对源／漏层（５）。在半导体基板（１ｂ）中在埋层绝缘层（２）的紧下边形成一个高浓度杂质层（１５）。

主权项

1.一种半导体装置，它包括：一个有主表面的半导体基板；一个埋层绝缘层，它形成于上述半导体基板中与上述主表面不相连的部位处；一个LOCOS绝缘膜，它形成于上述半导体基板的上述主表面中，用于有源区域之间彼此绝缘；和一个形成于上述有源区里的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管具有一个栅极电极，它形成于上述有源区上边且中间插入一层栅极绝缘层，薄膜晶体管还具有一对源/漏层，它们形成于上述半导体基板的上述主表面里上述栅极电极的两侧，上述半导体装置还具有一个高浓度杂质层(15)，它形成于上述半导体基板中上述埋层绝缘层的紧下边，其特征在于上述高浓度杂质层仅形成在上述LOCOS绝缘膜和上述有源区之间的边界部分的下边。