[发明专利]多结晶薄膜的形成方法和制造薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 95119449.6 | 申请日： | 1995-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1050221C | 公开（公告）日： | 2000-03-08 |
| 发明（设计）人： | 前川茂树;古田守;筒博司;川村哲也;宫田丰 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/04;H01L29/78;C30B28/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 薄膜 形成 方法 制造 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在绝缘基板上形成部分地包含用作多结晶化的晶核的微晶体的半导体薄膜，该步骤包括：形成一无定形半导体层；和通过激光束对该无定形半导体层进行退火，所述的激光束所具有能量密度使得能够通过这样的退火形成平均直径为20nm或更小的微晶体的晶体颗粒，由此形成微晶核；以及，通过激光退火使该半导体薄膜多结晶化；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
